Mit messbaren Daten und erzählten Geschichten zu nachhaltiger Mikroelektronik – Dr. Lutz Stobbe erhält den Forschungspreis 2025 vom Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM
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Mit messbaren Daten und erzählten Geschichten zu nachhaltiger Mikroelektronik – Dr. Lutz Stobbe erhält den Forschungspreis 2025 vom Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM
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Eine neuartige Lösung für das Management von Wundinfektionen und damit eine personalisierte, antibiotikaunabhängige Behandlung – das ist das Ziel eines aktuellen Medizintechnik-Projekts, das vom Bundesministerium
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Das Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM blickt in diesem Jahr auf eine 20-jährige Mitgliedschaft im IVAM – Fachverband für Mikrotechnik – zurück. Seit dem
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Wechselrichter sind die Manager im Antriebsstrang moderner Elektroautos. Sie bereiten die elektrische Energie der Batterie für den Motor auf. Am Fraunhofer IZM wurde diese zentrale
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Forschende am Fraunhofer IZM haben ein klebstofffreies Laserschweißverfahren zur Kopplung photonisch integrierter Schaltkreise (PICs) mit optischen Glasfasern realisiert, welches auch in kryogenen Umgebungen von bis
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Der Frühling bringt nicht nur blühende Gärten und das subtile Summen von Insekten langsam wieder zurück, sondern lenkt auch den Blick auf eine alarmierende Realität:
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Elektronikprodukte mittels Spritzgussverfahren unter größtmöglicher Designfreiheit und vor allem umweltverträglich herzustellen, gestaltet sich äußerst schwierig. Im Rahmen des EU-Horizon Projekts MULTIMOLD arbeiten Forschende am Fraunhofer
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Das Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM gibt seine aktive Mitwirkung an der APECS-Pilotlinie bekannt, die innerhalb des Rahmens des EU Chips Acts ins Leben
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In Glas integrierte Lichtleiter haben das Potenzial, die Messqualität von Sensoren für Forschung und Industrie deutlich zu verbessern. Im Projekt „3DGlassGuard“ arbeitet ein Konsortium unter
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Forschende am Fraunhofer IZM erproben im Projekt EnerConnect bidirektional sperrende Transistoren aus Galliumnitrid (GaN). Ziel ist es, mit ihrer Hilfe eine Schaltung zu entwickeln, die
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