TOSHIBA DTMOS MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Das neue kompakte TO-Leadless-SMD-Gehäuse (TOLL) von TOSHIBA (Vertrieb: GLYN) reduziert die Bauteilgröße um 27 % im Vergleich zu einem herkömmlichen D²Pak-Gehäuse.

Dennoch bietet es eine höhere Strombelastbarkeit, geringeren RDS(ON) und eine verbesserte Wärmeabfuhr.

Reduziert Ein- wie Ausschaltverluste

Dank des zusätzlichen Kelvin-Source Anschlusses lässt sich der Einfluss der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses im Gehäuse verringern. Das reduziert die Ein- sowie die Ausschaltverluste. Im Vergleich zum TK090N65Z mit gleicher Spannung und gleichem On-Widerstand im TO-247 ohne Kelvin-Anschluss, hat der TK090U65Z bis zu 68 Prozent weniger Einschaltverluste und um 56 Prozent weniger Ausschaltverluste.

Kombiniert mit der niedrigen Eingangskapazität der DTMOS VI-Technologie ergibt sich ein um 40 % verbesserter FOM Faktor (RDS(ON) x Qgd) gegenüber der vorhergehenden Chip Generation.

Das führt zu einem erheblichen Wirkungsgradgewinn beim Einsatz in modernen, schnell schaltenden Anwendungen.

Daher sind die Bauteile besonders gut für schnell schaltenden Anwendungen wie z. B. in DC-DC Wandlern, Schaltnetzteilen, PFC-Schaltungen oder Photovoltaik-Inverter geeignet.

Technische Daten der 650 V Typen:

• TK190U65Z mit 0,190 RDS(ON) max (Ω), 15 (ID (A), 25 Qg typ. (nC), 1370 Ciss (pF)
• TK155U65Z mit 0,155 RDS(ON) max (Ω), 18 (ID (A), 29 Qg typ. (nC), 1635 Ciss (pF)
• TK110U65Z mit 0,110 RDS(ON) max (Ω), 24 (ID (A), 40 Qg typ. (nC), 2250 Ciss (pF)
• TK090U65Z mit 0,090 RDS(ON) max (Ω), 30 (ID (A), 47 Qg typ. (nC), 2780 Ciss (pF)
• TK065U65Z mit 0,065 RDS(ON) max (Ω), 38 (ID (A), 62 Qg typ. (nC), 3710 Ciss (pF)

Muster der DTMOS VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse sind ab Lager GLYN verfügbar.

Weitere Informationen sind auf Anfrage erhältlich.